1、防松螺母薄膜生长基片温度。基片温度高于沉积的临界温度，由于沉积粒子的再蒸发而不能获得薄膜在满足沉积临界温度的条件下，基片温度较低时，沉积原子依靠自身携带的能量很难在基板表面进行长程迁移和扩散，膜层的组织多为粗大柱状、锥状晶，随着基片温度的提高沉积原子的迁移、扩散能力增强，膜层组织细化生长成细柱状晶。基片温度超过镀膜材料的再即结晶温度时，膜层的组织为再结晶等轴晶。

　　2、镀膜真空度。镀膜真空度对于薄膜生长和性能的影响，来源于蒸发粒子从蒸发源到基片的迁移过程。当真空度较低时，气体分子平均自由程较短，蒸发粒子子啊迁移过程中与残余气体碰撞的几率增加，产生气体散射效应，使沉积速率降低;同时使蒸发粒子的能量降低，蒸发粒子也会相互碰撞，形成低能原子团，这些低能原子和原子团到达基片表面后很难迁移，扩散，致使膜层形成粗大的锥状晶。

　　3、防松螺母薄膜生长蒸发速率。在一定真空度条件下蒸发镀膜，残余气体撞击基片表面的速率是一个常数，所以用较高的沉积速率生成的膜层中残余气体的含量较低。

　　(摘自于表面处理手册)