自锁螺母离子镀技术最早是在1963年提出来的，之后得到了大量的研究和发展。1971年研究了成形抢电子束离子镀，1972年发展了活性反应离子镀，成功地沉积了超硬膜层，使离子技术进入了一个新的阶段，1972年把空心热阴极技术用于镀层沉积上，经过发展完善成为空心阴极放电离子镀。1973年发展出射频激励法离子镀，80年代后，又发展出来多弧离子镀技术。

　　自锁螺母离子镀是在真空条件下，利用气体放电或被蒸发物质部分离化，在气体离子或者被蒸发物质离子轰击作用的同时把蒸发物质或其反应物沉积在基片上，它兼具蒸发镀的沉积速度快和溅射镀的离子攻击清洁表面的特点，特别的具有膜的附着力强、绕射性能好，可镀材料广泛等优点。因此这一技术获得了迅速的发展。

　　(摘自于表面处理手册)